기초전자회로 12

MOSFET 란?

MOSFET 트렌지스터는  MOS는  Metal, Oxide, Semiconductor ( 금속, 산화막, 반도체 )이고, FET은 Field Effect Transistor의 줄임말이다.즉, 전계 효과 (Field Effect)를 활용하는 트랜지스터이다.https://www.skcareersjournal.com/2689 반도체의 기초, MOSFET의 모든 것반도체의 기초, MOSFET의 모든 것 안녕하세요, 여러분~! 반도체에 관심이 있다면 한번쯤은 들어봤을 단어, MOSFET 다들 들어보셨나요? MOSFET은 인간이 만든 생산품 중 가장 많이 팔린 제품인데요, 이www.skcareersjournal.com여기에 매우 자세히 설명이 되어있으니 참고바란다. 내가 사용하는 부품은 IOR 회사에서 만든 IR..

기초전자회로 2024.11.30

문제 풀이 2)

3, 4, 5, 6에 대한 문제 풀이이다. 3번 4번 5번 6번 4,5번 시뮬레이터가 -값으로 나타나서 계산결과와 정답은 양수로 나온다.흠,, 이 현상에 대해서는 나중에 알게되면 포스팅해보겠다. - 수정 11-8시뮬레이터는 정상이다.  지식인에 질문해서 좋은 답변을 받았으니 이해되길 바란다.https://kin.naver.com/qna/detail.naver?d1id=11&dirId=1118&docId=477465906&answerNo=2# 기초전자회로 질문전자회로를 복습하는 와중 제가 이해하지 못한 부분이 있어서 가져왔습니다. 해당 문제에서 답을 구해서 정답체크까지 확인을 하였습니다. 분명 양수값인데, 제가 시뮬레이션을 돌리는 프로...kin.naver.com

기초전자회로 2024.11.06

복소페이저 해석

연습문제를 풀려 했지만 다루지 않은 부분이 있어 마저 포스팅하고 연습문제를 풀겠다. 요 근래 해외로 여행을 가 포스터를 적지 못하였다.다음 일정까지 다시 열심히 작성해 보겠다.이번 포스터는 책에 99퍼센트 의존하여 작성할 것이다.그만큼 책이 설명이 잘 되어 있다. (출처 : 알기 쉽게 풀어쓴 기초 전자회로) 복소수페이저의 정의우리는 정현파를 복소수의 극형식으로 표햔하는 복소페이저 기법을 살펴볼 예정이다.주파수가 정해진 경우, 정현파 전압이나 전류는 그 진폭과 위사의 2개의 파라미터에 의하여 완전히 기술될 수 있다.예를 들어보자. 정현파 전압 V(t)가 다음과 같다고 가정하자식 1) v(t) = Vm cos(wt+Φ)  식 1)에 대응되는 복소수 표시는 다음과 같다.식 2) Vm cos(wt+Φ)  Vm..

기초전자회로 2024.10.21

노턴 정리

테브난 정리를 알았으니 이제 노턴 정리에 대해 알아보자 노턴 정리 위 그림에서 복잡한 회로를 전기적으로 등가가 되는 b의 점선 부분으로 대체할 수 있다면, 부하저항에 대한 전압과 전류를 쉽게 구할 수 있다.따라서 우리는 다음 식을 얻을 수 있다iL = ( Rn / (RN + RL) ) * InVL = RLiL = ( RL*Rn / ( Rn + RL ) )  * In 테브난 정리와 같이 특정 부분에 대한 해석을 신속하게 계산할 수 있다. 노턴 정리를 단계로 요약해보면 다음과 같다.1 단계 : 노턴 등가회로를 구하려는 두 단자를 개방하여 부하저항을 제거한다.2 단계 : 두 단자를 단락시킨 후 단란전류 In을 구한다.3 단계 : 모든 전압원은 단락시키고 모든 전류원은 개방시킨 상태에서 두 단자 사이의 등가저항..

기초전자회로 2024.10.04

테브난 정리

이제 테브난 정리에 대해 알아보자테브난 정리는 복잡한 회로를 해석하는데 매우 유용하니 잘 알아두면 좋다 테브난 정리 우리가 RL에 대한 전안과 전류를 구해야할 때 복잡한 회로를 전기적으로 등가가 되는 b그림의 전선 부분으로 대체하면 RL에 대한 전압과 전류를 쉽게 구할 수 있다. iL = Vth / (Rth + RL)VL = RLiL = ( RL / (Rth + RL) ) * Vth 이렇게 우리는 관심이 아닌 부분을 테브난 등가회로로 대체함으로써 회로의 특정 부분에 대한 해석을 매우 신속하게 계싼할 수 있다는 것이다. 조금 더 자세히 들여다 보자테브난 정리 단계 요약 1 단계 : 테브난 등가회로를 구하려는 두 단자를 개방하여 부하저항을 제거한다.2 단계 : 개방된 두 단자 사이의 전압 Vth를 구한다.3..

기초전자회로 2024.10.03

중첩의 원리

나는 이제부터 https://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html https://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html www.falstad.com위 사이트를 사용하여 이해를 돕는데 더 신경을 써볼 생각이다. 이제 중첩의 원리를 알아보자중첩의 원리는 매우 중요한 회로해석 기법이며, 선형 회로에 대해서만 적용이 가능하다. 중첩의 원리는 선형회로가 2개 이상의 독립전원에 의해 구동되는 경우, 어떤 회로 소자에서의 응답은 각 독립전원이 단독으로 존재할 때 얻어지는 개별응답의 합이라는 것을 의미한다. 선형 회로란 개략적으로 말하면 전압과 전류가 비례관계인 회로를 의미하며, 저항, 인덕터, 캐패시터와 같은 수동소자로 구성된다. 비선형회로에는 중첩의 원..

기초전자회로 2024.09.29

메쉬해석법

자 우리는 전에 마디해석법을 배웠다.이제는 메쉬해석법에 대해 알아볼 예정이다.25,26은 일이 많아 게시물을 올리지 못하였다..거두절미하고 어서 알아보자 메쉬해석법메쉬해석법은 평면회로에서 정의되는 메쉬에 메쉬전류를 정의한 다음, 키르히호프의 전압 법칙을 적용하여 메쉬전류를 결정하여 회로를 해석하는 것을 말한다. 메쉬해석법은 평면회로에 대해서만 적용할 수 있다.이부분은 메쉬해석법에 비해 제한적이지만 경우에 따라서는 마디해석법보다 쉽게 적용이 가능하다는 점이다.아래 그림을 보자그림 1에서 i1과 i2를 메쉬전류로 잡으면 R1에서 흐르는 전압 등등 각각의 저항에서 흐르는 전압의 크기를 알 수 있다.예를 들면 i1 * R1 = Va, i1 * R5 = Vb 이런 식으로 옴의 법칙을 사용하여 알 수 있다.R2는 ..

기초전자회로 2024.09.27

마디해석법

벌써 마디해석법에 왔다.마디 해석법은 키르히호프의 전류 법칙에 기반을 둔 마디해석법이다.어려울 것 없다. 같이 이해해 나가자 마디해석법위 그림을 보면 이해가 잘된다.C라는 점이 마디가 총 4개를 가지고 있고, A와 B는 3개를 가지고 있기에 C가 기준마디로 선정을 한 것이다. 이렇게 기준마디가 선정되면 우리는 기준마디를 정하고 기준마디를 제외한 나머지 마디들을 기준 마디를 기준으로 하여 전압을 지정하고, 이를 마디전압이라고 한다.위 그림에서 A와B를 마디 전압으로 두면 된다. 이렇게 되면 우리는 마디전압 변수들을 활용하여 회로내의 모든 전압과 전류 관계를 알 수 있게 된다. 예제를 통해 마디해석법에 대해 이해를 높여보자4옴 저항의 양단 전압 V를 구하여라 정답은 (84/11)V이다. 풀이를 통해 이해해나..

기초전자회로 2024.09.24

저항의 직렬, 병렬연결 과 전압, 전류 분배

이번 포스터는 저항의 직렬 연결에서의 전압 분배, 저항의 병렬 연결에서의 전류 분배에 대해 알아보겠다!자자 시작하겠다. 저항의 직렬 연결과 전압 분배 그림 1에서 각 저항에 걸리는 전압을 V1, V2, V3라고 정의하여 키르히호프의 전압 법칙을 구하면 아래 식이 나온다.V1 + V2 + V3 - V = 0V1 + V2 + V3 = V 위 식에서 우리는 각 V1, V2, V3를 풀어서 써보겠다.V1 = R1 * iV2 = R2 * iV3 = R3 * i 무언가 보이지 않는가? 맞다 전류는 같고, 저항에 따라 전압이 분배되는 것을 확인 할 수 있다.우리는 이를 통해 V = R1i + R2i + R3i로 정리하고 V = i(R1+R2+R3)로 정리 할 수 있다.따라서 i = V / (R1 + R2 + R3)를..

기초전자회로 2024.09.23